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1、在外加电场的作用下，晶体的折射率光吸收和光散射特性发生了变化，由此而产生的效应称为电光效应.当晶体折射率的改变与所加电场成正比时，即电场的一次项 ，这种电光效应称为线性电光效应，由Pokels于 1893年发现，也称为Pokels效应，一般发生于无对称中心晶体中，该效应是电光调制的基础。

2、当晶体折射率的改变与所加电场强度的平方成正比时，即电场的二次项 ，这种电光效应由Kerr在 1875年发现，称为二次电光效应或称为Kerr电光效应，二次电光效应存在于一切晶体中。

3、对LiNbO3晶体来说，线性电光效应比二次电光效应显著的多，因此调制器主要利用其线性电光效应进行调制。

4、铌酸锂电光调制器的工作原理简单的描述为，当晶体特定方向施加电场作用时，由于电光效应导致晶体折射率的改变，继而引起晶体中传输光波的额外相位变化，从而达到调制光波的目的。

5、常见的电光强度调制器是马赫-曾德尔(MZ)调制器，光波在光波导中传输至第一个3dB耦合器处，光波被分成相等的两路，光波在每个支路路分别通过光波导传送至第二个3dB耦合器处，两列波最后相干叠加。

6、补充一下：铌酸锂（LiNbO3）晶体是重要的光电材料，是集成光学、非线性光学、光电子元器件等领域中应用最广泛，最重要的基片材料之一。

7、目前，铌酸锂晶体被广泛应用在声表面波、电光调制、激光调Q、光陀螺、光参量振荡、光参量放大、光全息存储等器件中，这些器件在手机、电视机、光通讯、激光测距、电场探测器等以及军工技术中发挥着重要的作用。

8、　现在最先进的铌酸锂单晶薄膜晶格结构为单晶，完全保持体材料优秀物理性质，直径为3英寸，上层铌酸锂单晶薄膜厚度为0.3-0.7微米，中层是1微米厚二氧化硅（SiO2）, 最下面是0.5毫米厚铌酸锂晶片衬底。

9、作为产业链的基础材料，主要应用于以下几个领域：　　光纤通讯，例如波导调制器等。

10、用此薄膜材料生产的器件与传统产品相比体积可缩小百万倍以上，集成度大幅提高，响应频带宽，功耗低，性能更加稳定，制造成本降低。

11、　　2、电子学器件，比如高质量滤波器，延迟线等。

12、　　3、信息存储领域，可实现高密度信息存储，一片3英寸薄膜的信息存储容量为70T（相当于10万张CD）。

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